موضوع: رکورد فرکانس-بالاترین مدار جهان شکسته شد

محققین دانشگاه فلوریدا و تگزاس اینسترامنتس فرکانس-بالاترین مدار جهان را با استفاده از نوع معمولی ترانزیستور نیمه هادی ساختند.

به گزارش الکترونیوز و به نقل از ساینس دیلی، این رکورد جدید توسط مهندسین دانشگاه فلوریدا و TI در ششم فوریه در کنفرانس بین المللی مدارات حالت جامد (ISSCC) در سان فرانسیسکو ارائه شد.

کن او، استاد مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه فلوریدا، گفت که تیم وی یک مدار 410 گیگاهرتزی را با استفاده از تکنولوژی CMOS به جهان عرضه کرده است.

با اندازه گیری های انجام شده در آزمایشگاه دانشگاه فلوریدا با استفاده از مداری مجهز به یک آنتن به اندازه ی نوک قلم، مشخص گشت که این مدار 410 گیگاهرتزی رکورد قبلی مدارات CMOS یعنی 200 گیگاهرتز را که در فوریه ی 2006 بدست آمده بود، شکسته است. مهم تر از آن، این رکورد حدود 60 گیگاهرتز بالاتر از رکورد قبلی است که با استفاده از تکنولوژی جایگزین اما گران تر ایندیم فسفاید بدست آمده بود. تکنولوژی صنعتی پیشرفته ی تگزاس اینسترامنتس، که با نام فرایند 45 نانومتری CMOS شناخته شده است، پایه و اساس این مدار جدید را تشکیل می دهد.

کن او، مدیر این پروژه، گفت: "احتمالا در 30 سال اخیر، این اولین باری است که یک مدار سیلیکونی، فرکانس کاری بالاتری نسبت به مدارت مبتنی بر ایندیم فسفاید یا ترکیبات مشابه آن از خود نشان می دهد. این امر بسیار هیجان انگیز است چرا که اگر شما بتوانید اینگونه مدارات را بسازید، بنابراین قار خواهید بود سیستم های آشکارسازی و تصویربرداری ارزان تری برای برخی از کاربردها بسازید. نتیجه ی این امر موجب کاهش هزینه ی این سیستم ها تا 100 برابر یا بیشتر خواهد بود."

مدارات فرا فرکانس بالا، پیش از این ساخته شده بودند، اما تنها با مواد عجیب و غریبی که ساخت آن ها بسیار هزینه بردار است. بر خلاف این، CMOS فرایند استانداردی است که در عمده ی مدارات در صنعت مدارات مجتمع از آن استفاده می شود. این روش راه را برای تولید انبوه و توزیع مدارات فرکانس بالا باز می نماید.

پروفسور کن او اظهار داشت: "با بکارگیری تکنولوژی پیشرفته ی TI برای ساخت این مدار، دانشگاه فلوریدا و TI نشان دادند که با استفاده از CMOS امکان واقعی این کار وجود دارد که ما تا پنج سال آینده قادر به انجام آن خواهیم بود."

کاربردهای این مدار جدید برای مثال شامل تجهیزات مانیتورینگ محیط می شود که با دقت زیادی حساس به آلودگی، گازهای مهلک یا عوامل بیوتروریسم می باشند. در تصویربرداری، مدارات فرکانس بالا روش هایی را ممکن می سازند که می تواند به داخل لباس افراد نفوذ کرده و سلاح های مخفی یا مواد منفجره ی پلاستیکی را مشاهده نماید. این مدار همچنین می تواند در تجهیزات پزشکی استفاده شده و تشخیص زودتر سرطان های پوست و دیگر سرطان ها را آسان تر نماید، و نیز در سیستم های صنعتی که روکش روی قرص ها را بررسی می کنند تا از ضخامت مناسب و یکنواختی آن ها مطمئن شوند.

تکنولوژی فرایند 45 نانومتری توان-پائین TI شامل برخی از روش هائی می شود که پردازنده هایی با چند میلیون ترانزیستور و مقرون به صرفه به بازار ارائه می دهد. این پردازنده ها کارائی بالا و مصرف توان پائینی دارند که برای پردازش کاربردهای پیشرفته بسیار مورد نیاز است. همچنان که این تکنولوژی در جهت افزایش عمر باتری در محصولات قابل حمل طراحی می شود، در عین حال کارائی بالائی برای انجام اعمال پیشرفته ی چند رسانه ای در یک طراحی فوق مجتمع از خود نشان می دهد
[size=x-large][/size]